رشد ویفر اپیتاکسیال نیترید گالیوم (GaN) یک فرآیند پیچیده است که اغلب از یک روش دو مرحله ای استفاده می کند. این روش شامل چندین مرحله حیاتی از جمله پخت در دمای بالا، رشد لایه بافر، تبلور مجدد و بازپخت می باشد. با کنترل دقیق دما در طول این مراحل، روش رشد دو مرحله ای به طور موثر از تاب برداشتن ویفر ناشی......
ادامه مطلباچینگ یک فرآیند ضروری در تولید نیمه هادی است. این فرآیند را می توان به دو نوع اچ خشک و اچ مرطوب تقسیم کرد. هر تکنیک مزایا و محدودیت های خاص خود را دارد که درک تفاوت های بین آنها را ضروری می کند. بنابراین، چگونه بهترین روش اچینگ را انتخاب می کنید؟ مزایا و معایب اچینگ خشک و اچ مرطوب چیست؟
ادامه مطلبنیمه هادی های نسل سوم فعلی اساساً بر پایه سیلیکون کاربید هستند که بسترهای آن 47 درصد هزینه های دستگاه را تشکیل می دهند و اپیتاکسی 23 درصد را به خود اختصاص می دهد که در مجموع حدود 70 درصد است و مهمترین بخش صنعت تولید دستگاه های SiC را تشکیل می دهد.
ادامه مطلبسرامیک های کاربید سیلیکون مزایای متعددی را در صنعت فیبر نوری ارائه می دهند، از جمله پایداری در دمای بالا، ضریب انبساط حرارتی کم، آستانه تلفات و آسیب کم، استحکام مکانیکی، مقاومت در برابر خوردگی، هدایت حرارتی خوب و ثابت دی الکتریک پایین. این ویژگیها، سرامیک SiC را به مادهای ایدهآل برای حسگرهای فیبر......
ادامه مطلبتاریخچه کاربید سیلیکون (SiC) به سال 1891 باز می گردد، زمانی که ادوارد گودریچ آچسون به طور تصادفی آن را هنگام تلاش برای سنتز الماس مصنوعی کشف کرد. آچسون مخلوطی از خاک رس (آلومینوسیلیکات) و کک پودری (کربن) را در یک کوره الکتریکی گرم کرد. به جای الماس های مورد انتظار، او یک کریستال سبز روشن به دست آورد......
ادامه مطلب