- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار شرکت
اولین شرکت صنعتی سازی زیرلایه گالیوم اکسید 6 اینچی
اخیراً شرکت ما اعلام کرد که این شرکت با استفاده از روش ریخته‌گری با موفقیت یک تک کریستال اکسید گالیوم 6 اینچی را با استفاده از روش ریخته‌گری توسعه داده است و اولین شرکت صنعتی داخلی است که بر فناوری آماده‌سازی بستر تک‌کریستال گالیوم اکسید 6 اینچی تسلط دارد.
ادامه مطلب
مواد عایق میدان حرارتی
فرآیند رشد سیلیکون تک کریستالی عمدتاً در یک میدان حرارتی اتفاق می افتد، جایی که کیفیت محیط حرارتی به طور قابل توجهی بر کیفیت کریستال و راندمان رشد تأثیر می گذارد. طراحی میدان حرارتی نقش محوری در شکل‌دهی گرادیان دما و دینامیک جریان گاز در محفظه کوره دارد. علاوه بر این، مواد مورد استفاده در ساخت میدان......
ادامه مطلب
چالش های تولید بستر کاربید سیلیکون چیست؟
کاربید سیلیکون (SiC) ماده ای است که دارای انرژی پیوند بالایی است، مشابه سایر مواد سخت مانند الماس و نیترید بور مکعبی. با این حال، انرژی پیوند بالای SiC، کریستال شدن مستقیم به شمش ها را از طریق روش های ذوب سنتی دشوار می کند. بنابراین، فرآیند رشد کریستال‌های کاربید سیلیکون شامل استفاده از فناوری اپیتا......
ادامه مطلب
سیلیکون کاربید (SiC) چیست؟
مواد نیمه هادی را می توان با توجه به ترتیب زمانی به سه نسل تقسیم کرد. اولین نسل از ژرمانیوم، سیلیکون و سایر مواد تک معمولی که با سوئیچینگ راحت مشخص می شود، معمولاً در مدارهای مجتمع استفاده می شود. نسل دوم آرسنید گالیم، فسفید ایندیم و سایر نیمه هادی های ترکیبی که عمدتاً برای مواد ساطع کننده نور و ارت......
ادامه مطلب
