- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار شرکت
رمزگشایی فناوری چاک الکترواستاتیک (ESC) در حمل و نقل ویفر
چاک های الکترواستاتیک (ESC) در تولید نیمه هادی ها و تولید صفحه نمایش تخت ضروری شده اند و روشی بدون آسیب و بسیار قابل کنترل برای نگه داشتن و قرار دادن ویفرها و بسترهای ظریف در طول مراحل پردازش حیاتی ارائه می دهند. این مقاله به پیچیدگی های فناوری ESC می پردازد، اصول عملکرد، مکانیسم های مختلف چسبندگی و......
ادامه مطلب
سی سی سی ضخیم CVD با خلوص بالا: بینش فرآیند برای رشد مواد
لایه های ضخیم کاربید سیلیکون (SiC) با خلوص بالا، معمولاً بیش از 1 میلی متر، اجزای حیاتی در کاربردهای مختلف با ارزش بالا، از جمله ساخت نیمه هادی ها و فن آوری های هوافضا هستند. این مقاله به فرآیند رسوب بخار شیمیایی (CVD) برای تولید چنین لایههایی میپردازد، پارامترهای فرآیند کلیدی، ویژگیهای مواد و کا......
ادامه مطلب
درک رسوب بخار شیمیایی (CVD): مروری جامع
رسوب بخار شیمیایی (CVD) یک تکنیک رسوب لایه نازک همه کاره است که به طور گسترده در صنعت نیمه هادی برای ساخت لایه های نازک با کیفیت بالا و منسجم بر روی بسترهای مختلف استفاده می شود. این فرآیند شامل واکنش های شیمیایی پیش سازهای گازی بر روی سطح زیرلایه گرم شده است که منجر به تشکیل یک لایه نازک جامد می شو......
ادامه مطلب
ویفرهای اپیتاکسیال نیترید گالیوم: مقدمه ای بر فرآیند ساخت
رشد ویفر اپیتاکسیال نیترید گالیوم (GaN) یک فرآیند پیچیده است که اغلب از یک روش دو مرحله ای استفاده می کند. این روش شامل چندین مرحله حیاتی از جمله پخت در دمای بالا، رشد لایه بافر، تبلور مجدد و بازپخت می باشد. با کنترل دقیق دما در طول این مراحل، روش رشد دو مرحله ای به طور موثر از تاب برداشتن ویفر ناشی......
ادامه مطلب
