- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار شرکت
فرآیندهای پلاسما در عملیات CVD
رسوب بخار شیمیایی (CVD) به فناوری فرآیندی اشاره دارد که در آن واکنش‌دهنده‌های گازی متعدد در فشارهای جزئی متفاوت تحت یک واکنش شیمیایی تحت شرایط دما و فشار خاص قرار می‌گیرند. ماده جامد حاصل بر روی سطح ماده بستر رسوب می کند و در نتیجه لایه نازک مورد نظر به دست می آید. در فرآیندهای تولید مدار مجتمع سنتی......
ادامه مطلب
لایه ها و بسترهای اپیتاکسیال سیلیکونی در تولید نیمه هادی
در زمینه های الکترونیک مدرن، اپتوالکترونیک، میکروالکترونیک و فناوری اطلاعات، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی ضروری هستند. آنها پایه محکمی برای ساخت دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا و با قابلیت اطمینان بالا فراهم می کنند. با ادامه پیشرفت فناوری، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی نیز پیشر......
ادامه مطلب
اولین شرکت صنعتی سازی زیرلایه گالیوم اکسید 6 اینچی
اخیراً شرکت ما اعلام کرد که این شرکت با استفاده از روش ریخته‌گری با موفقیت یک تک کریستال اکسید گالیوم 6 اینچی را با استفاده از روش ریخته‌گری توسعه داده است و اولین شرکت صنعتی داخلی است که بر فناوری آماده‌سازی بستر تک‌کریستال گالیوم اکسید 6 اینچی تسلط دارد.
ادامه مطلب
مواد عایق میدان حرارتی
فرآیند رشد سیلیکون تک کریستالی عمدتاً در یک میدان حرارتی اتفاق می افتد، جایی که کیفیت محیط حرارتی به طور قابل توجهی بر کیفیت کریستال و راندمان رشد تأثیر می گذارد. طراحی میدان حرارتی نقش محوری در شکل‌دهی گرادیان دما و دینامیک جریان گاز در محفظه کوره دارد. علاوه بر این، مواد مورد استفاده در ساخت میدان......
ادامه مطلب
