- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار شرکت
درک رسوب بخار شیمیایی (CVD): مروری جامع
رسوب بخار شیمیایی (CVD) یک تکنیک رسوب لایه نازک همه کاره است که به طور گسترده در صنعت نیمه هادی برای ساخت لایه های نازک با کیفیت بالا و منسجم بر روی بسترهای مختلف استفاده می شود. این فرآیند شامل واکنش های شیمیایی پیش سازهای گازی بر روی سطح زیرلایه گرم شده است که منجر به تشکیل یک لایه نازک جامد می شو......
ادامه مطلب
ویفرهای اپیتاکسیال نیترید گالیوم: مقدمه ای بر فرآیند ساخت
رشد ویفر اپیتاکسیال نیترید گالیوم (GaN) یک فرآیند پیچیده است که اغلب از یک روش دو مرحله ای استفاده می کند. این روش شامل چندین مرحله حیاتی از جمله پخت در دمای بالا، رشد لایه بافر، تبلور مجدد و بازپخت می باشد. با کنترل دقیق دما در طول این مراحل، روش رشد دو مرحله ای به طور موثر از تاب برداشتن ویفر ناشی......
ادامه مطلب
مزایا و معایب اچینگ خشک و اچینگ مرطوب چیست؟
اچینگ یک فرآیند ضروری در تولید نیمه هادی است. این فرآیند را می توان به دو نوع اچ خشک و اچ مرطوب تقسیم کرد. هر تکنیک مزایا و محدودیت های خاص خود را دارد که درک تفاوت های بین آنها را ضروری می کند. بنابراین، چگونه بهترین روش اچینگ را انتخاب می کنید؟ مزایا و معایب اچینگ خشک و اچ مرطوب چیست؟
ادامه مطلب
ماده اصلی برای رشد SiC: پوشش کاربید تانتالم
نیمه هادی های نسل سوم فعلی اساساً بر پایه سیلیکون کاربید هستند که بسترهای آن 47 درصد هزینه های دستگاه را تشکیل می دهند و اپیتاکسی 23 درصد را به خود اختصاص می دهد که در مجموع حدود 70 درصد است و مهمترین بخش صنعت تولید دستگاه های SiC را تشکیل می دهد.
ادامه مطلب
