- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار شرکت
کوره رشد کریستال کاربید سیلیکون (SiC).
رشد کریستال حلقه اصلی در تولید بسترهای کاربید سیلیکون است و تجهیزات هسته کوره رشد کریستال است. مشابه کوره‌های رشد کریستالی با درجه سیلیکون کریستالی، ساختار کوره چندان پیچیده نیست و عمدتاً از بدنه کوره، سیستم گرمایش، مکانیزم انتقال سیم پیچ، سیستم اندازه‌گیری و جذب خلاء، سیستم مسیر گاز، سیستم خنک‌کنند......
ادامه مطلب
چالش های کاربرد و توسعه اجزای گرافیت پوشش داده شده TaC
نسل سوم مواد نیمه هادی با گپ گسترده، مانند نیترید گالیوم (GaN) و کاربید سیلیکون (SiC)، به دلیل تبدیل نوری الکترونیکی استثنایی و قابلیت های انتقال سیگنال مایکروویو مشهور هستند. این مواد نیازهای مورد نیاز دستگاه های الکترونیکی با فرکانس بالا، دمای بالا، توان بالا و مقاوم در برابر تشعشع را برآورده می ک......
ادامه مطلب
قایق SiC چیست و فرآیندهای مختلف تولید آن چیست؟
قایق SiC که مخفف قایق کاربید سیلیکون است، یک لوازم جانبی مقاوم در برابر دمای بالا است که در لوله‌های کوره برای حمل ویفرها در طول پردازش در دمای بالا استفاده می‌شود. با توجه به خواص برجسته کاربید سیلیکون مانند مقاومت در برابر دماهای بالا، خوردگی شیمیایی و پایداری حرارتی عالی، قایق‌های SiC به طور گستر......
ادامه مطلب
گرافیت متخلخل برای رشد کریستال SiC
در حال حاضر، اکثر تولیدکنندگان بستر SiC از طراحی فرآیند میدان حرارتی بوته‌ای جدید با سیلندرهای گرافیتی متخلخل استفاده می‌کنند: قرار دادن مواد خام ذرات SiC با خلوص بالا بین دیواره بوته گرافیتی و سیلندر گرافیتی متخلخل، در عین حال عمیق‌تر کردن کل بوته و افزایش قطر بوته.
ادامه مطلب
فرآیندهای پلاسما در عملیات CVD
رسوب بخار شیمیایی (CVD) به فناوری فرآیندی اشاره دارد که در آن واکنش‌دهنده‌های گازی متعدد در فشارهای جزئی متفاوت تحت یک واکنش شیمیایی تحت شرایط دما و فشار خاص قرار می‌گیرند. ماده جامد حاصل بر روی سطح ماده بستر رسوب می کند و در نتیجه لایه نازک مورد نظر به دست می آید. در فرآیندهای تولید مدار مجتمع سنتی......
ادامه مطلب
لایه ها و بسترهای اپیتاکسیال سیلیکونی در تولید نیمه هادی
در زمینه های الکترونیک مدرن، اپتوالکترونیک، میکروالکترونیک و فناوری اطلاعات، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی ضروری هستند. آنها پایه محکمی برای ساخت دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا و با قابلیت اطمینان بالا فراهم می کنند. با ادامه پیشرفت فناوری، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی نیز پیشر......
ادامه مطلب
