کاربید سیلیکون (SiC) ماده ای است که دارای انرژی پیوند بالایی است، مشابه سایر مواد سخت مانند الماس و نیترید بور مکعبی. با این حال، انرژی پیوند بالای SiC، کریستال شدن مستقیم به شمش ها را از طریق روش های ذوب سنتی دشوار می کند. بنابراین، فرآیند رشد کریستالهای کاربید سیلیکون شامل استفاده از فناوری اپیتا......
ادامه مطلبمواد نیمه هادی را می توان با توجه به ترتیب زمانی به سه نسل تقسیم کرد. اولین نسل از ژرمانیوم، سیلیکون و سایر مواد تک معمولی که با سوئیچینگ راحت مشخص می شود، معمولاً در مدارهای مجتمع استفاده می شود. نسل دوم آرسنید گالیم، فسفید ایندیم و سایر نیمه هادی های ترکیبی که عمدتاً برای مواد ساطع کننده نور و ارت......
ادامه مطلبکاربید سیلیکون (SiC) کاربردهای مهمی در زمینه هایی مانند الکترونیک قدرت، دستگاه های RF فرکانس بالا و حسگرها برای محیط های مقاوم در برابر دمای بالا به دلیل خواص فیزیکوشیمیایی عالی دارد. با این حال، عملیات برش در طول پردازش ویفر SiC باعث ایجاد آسیبهایی بر روی سطح میشود که در صورت درمان نشدن، میتواند......
ادامه مطلبمواد متعددی در حال حاضر در دست بررسی هستند، که در میان آنها کاربید سیلیکون به عنوان یکی از امیدوار کننده ترین آنها برجسته است. مشابه GaN، دارای ولتاژهای عملیاتی بالاتر، ولتاژهای شکست بالاتر و رسانایی برتر در مقایسه با سیلیکون است. علاوه بر این، به لطف رسانایی حرارتی بالا، کاربید سیلیکون را می توان د......
ادامه مطلب