فرآیند بازپخت، که به عنوان آنیل حرارتی نیز شناخته می شود، گامی مهم در تولید نیمه هادی است.
کاربید سیلیکون (SiC) ترکیبی است که توسط پیوندهای کووالانسی بین اتمهای سیلیکون و کربن ایجاد میشود که به دلیل مقاومت در برابر سایش عالی، مقاومت در برابر شوک حرارتی، مقاومت در برابر خوردگی و هدایت حرارتی بالا شناخته شده است.
هنگام تمیز کردن ویفرها معمولاً از تمیز کردن اولتراسونیک و تمیز کردن مگاسونیک برای حذف ذرات از سطح ویفر استفاده می شود.
سرامیکهای کاربید سیلیکون (SiC) که به دلیل استحکام بالا، سختی، مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی و پایداری در دمای بالا شناخته میشوند، از زمان معرفی خود پتانسیل و ارزش زیادی را در بخشهای صنعتی متعددی نشان دادهاند.
4H-SiC، به عنوان یک ماده نیمه هادی نسل سوم، به خاطر گپ باند وسیع، رسانایی حرارتی بالا، و پایداری شیمیایی و حرارتی عالی شهرت دارد که آن را در کاربردهای پرقدرت و فرکانس بالا بسیار ارزشمند می کند.
کوره رشد تک کریستال از شش سیستم کلیدی تشکیل شده است که با هماهنگی کار می کنند تا رشد کریستال کارآمد و با کیفیت بالا را تضمین کنند.