> اخبار

اخبار

نحوه طبقه بندی نیمه هادی ها

شش طبقه بندی برای نیمه هادی ها وجود دارد که بر اساس استاندارد محصول، نوع سیگنال پردازش، فرآیند تولید، عملکرد استفاده، زمینه کاربرد و روش طراحی طبقه بندی می شوند.

ادامه مطلب

پرداخت نهایی سطح ویفر سیلیکونی

برای دستیابی به الزامات با کیفیت بالا در فرآیندهای مدار تراشه آی سی با عرض خط کمتر از 0.13 میکرومتر تا 28 نانومتر برای ویفرهای پولیش سیلیکونی با قطر 300 میلی متر، ضروری است که آلودگی ناشی از ناخالصی ها، مانند یون های فلزی، روی سطح ویفر به حداقل برسد.

ادامه مطلب

نقص مهلک GaN

همانطور که جهان به دنبال فرصت های جدید در زمینه نیمه هادی است، نیترید گالیوم (GaN) همچنان به عنوان یک نامزد بالقوه برای کاربردهای انرژی و RF در آینده برجسته می شود. با این حال، علیرغم مزایای متعدد، GaN با یک چالش مهم روبرو است: عدم وجود محصولات نوع P. چرا GaN به عنوان ماده نیمه هادی اصلی بعدی مورد ا......

ادامه مطلب

پرداخت سطح ویفرهای سیلیکونی

پرداخت سطح ویفر سیلیکونی یک فرآیند بسیار مهم در تولید نیمه هادی است. هدف اصلی آن دستیابی به استانداردهای بسیار بالایی از صافی و زبری سطح با حذف عیوب میکرو، لایه‌های آسیب استرس و آلودگی از ناخالصی‌هایی مانند یون‌های فلزی است.

ادامه مطلب

جهت کریستالی و نقص در ویفرهای سیلیکونی

سلول واحد کریستالی سیلیکون تک کریستالی ساختار ترکیبی روی است که در آن هر اتم سیلیکون با چهار اتم سیلیکون همسایه پیوند شیمیایی می‌دهد. این ساختار در الماس های کربنی تک کریستالی نیز یافت می شود.

ادامه مطلب

پردازش بستر تک کریستال SiC

تک بلورهای سیلیکون کاربید (SiC) عمدتاً با استفاده از روش تصعید تولید می شوند. پس از خارج کردن کریستال از بوته، چندین مرحله پردازش پیچیده برای ایجاد ویفرهای قابل استفاده مورد نیاز است.

ادامه مطلب

<1 2 3 4 5...30 >