> اخبار

اخبار

SiGe in Chip Manufacturing: A Professional News Report

SiGe (سیلیکون ژرمانیوم) برای پاسخگویی به تقاضاها برای عملکرد بالا و مصرف انرژی کم در حوزه فناوری نیمه هادی مدرن، به دلیل خواص فیزیکی و الکتریکی منحصر به فرد خود به عنوان یک ماده مرکب انتخابی در تولید تراشه های نیمه هادی ظاهر شده است.

ادامه مطلب

واحد در نیمه هادی: آنگستروم

به عنوان یک واحد طول، آنگستروم (Å) در تولید مدارهای مجتمع در همه جا حاضر است. از کنترل دقیق ضخامت مواد گرفته تا کوچک سازی و بهینه سازی اندازه دستگاه، درک و استفاده از مقیاس آنگستروم هسته اصلی برای اطمینان از توسعه مداوم فناوری نیمه هادی است.

ادامه مطلب

سنتز پودر سیلیکون کاربید با خلوص بالا

پودر سیلیکون کاربید با خلوص بالا دارای ویژگی‌های استثنایی باندگپ گسترده است که آن را به یک ماده ایده‌آل برای ساخت دستگاه‌های الکترونیکی با فرکانس بالا و توان بالا تبدیل می‌کند.

ادامه مطلب

نزدیک به 840 میلیون دلار: Onsemi یک شرکت SiC را خریداری می کند

امروز Onsemi در وب سایت رسمی خود اعلام کرد که با قروو برای خرید کسب و کار فناوری SiC JFET و شرکت تابعه قروو به توافق رسیده است.

ادامه مطلب

تفاوت بین گرافیتی شدن و کربن سازی چیست؟

در نتیجه، هر دو گرافیتی شدن و کربن‌سازی فرآیندهای صنعتی هستند که کربن را یا به‌عنوان واکنش‌دهنده یا محصول شامل می‌شوند. کربن سازی به فرآیند تبدیل مواد آلی به کربن اشاره دارد، در حالی که گرافیت سازی شامل تبدیل کربن به گرافیت است. بنابراین، کربنیزاسیون به عنوان یک تغییر شیمیایی طبقه بندی می شود، در حا......

ادامه مطلب

پارامترهای فرآیند اچینگ

اچ کردن یک مرحله حیاتی در تولید تراشه است که برای ایجاد ساختارهای مدار دقیق روی ویفرهای سیلیکونی استفاده می شود.

ادامه مطلب

<...4 5 6 7 8...37 >