حلقه های فوکوس کاربید سیلیکون

حلقه های فوکوس کاربید سیلیکونمعمولاً در محفظه واکنش تجهیزات اچینگ نصب می شوند که در اطراف سطح پشتیبانی ویفر چاک الکترواستاتیک قرار می گیرند. این ترتیب نصب می تواند با موفقیت اختلاف ارتفاع بین لبه ویفر و الکترود را پر کند، پلاسما را در محفظه واکنش بر روی سطح ویفر متمرکز کند تا حکاکی یکنواخت حاصل شود و همچنین از انتشار پلاسما به بیرون از لبه ویفر جلوگیری کند تا از مشکل اچ کردن بیش از حد لبه ویفر جلوگیری کند.

اجزای اچینگ با کیفیت بالا می توانند یک محیط میدان الکتریکی پایدار برای فرآیند اچینگ فراهم کنند. حلقه های فوکوس کاربید سیلیکون Semicorex از عملکرد بالا ساخته شده اند.مواد کاربید سیلیکوناز طریق رسوب شیمیایی بخار حلقه های فوکوس ما قادر به تنظیم توزیع میدان الکتریکی در اطراف ویفر هستند و به طور قابل توجهی انحرافات حکاکی یا پدیده تخلیه ناشی از میدان های الکتریکی ناهموار را کاهش می دهند.

ویفرهای نیمه هادی به راحتی در برابر آلودگی ذرات حساس هستند، بنابراین فرآیندهای اچ پلاسما باید در محفظه های واکنش حکاکی یونی بسیار تمیز انجام شود. حلقه‌های فوکوس کاربید سیلیکون به‌عنوان جزء اصلی تجهیزات حکاکی، در عملیات واقعی مستقیماً با لبه ویفر در تماس هستند، همچنین برای رعایت استانداردهای تمیزی فوق‌العاده لازم است. حلقه های فوکوس کاربید سیلیکون Semicorex مزایای خلوص بالا و محتوای ناخالصی کم را ارائه می دهد که می تواند دقیقاً نیازهای تمیزی دقیق فرآیندهای اچینگ نیمه هادی را برآورده کند. این تا حد زیادی به کاهش عیوب ویفر و بهبود عملکرد تولید ویفر کمک می کند.

در طی فرآیند اچ پلاسما، گازهای اچ مانند فلوئور و اکسیژن وارد محفظه واکنش می شوند. مقاومت شیمیایی تجهیزات اچینگ به دلیل خوردگی طولانی مدت ناشی از گازهای فرآیند به شدت به چالش کشیده می شود. کاربید سیلیکون با خاصیت مقاومت بالای خود در برابر خوردگی پلاسما، انتخاب ماده بهینه برای تولید حلقه فوکوس است. با کاهش احتمال آسیب قطعات مرتبط با خوردگی و به حداقل رساندن نیاز به تعویض و نگهداری مکرر، حلقه های فوکوس کاربید سیلیکون می توانند کارایی تولید ویفر نیمه هادی را به میزان قابل توجهی افزایش دهند.