حلقه راهنما با پوشش TaC

حلقه راهنمای با پوشش TaC (کاربید تانتالوم) برای بهینه سازی فرآیند رشد تک کریستال SiC مهندسی شده است. هدایت حرارتی استثنایی آن توزیع یکنواخت گرما را تضمین می کند و به تشکیل کریستال های با کیفیت بالا با خلوص و یکپارچگی ساختاری بیشتر کمک می کند.

از دوام حرارتی برتری که پوشش TaC فراهم می کند بهره مند شوید. حلقه راهنمای با پوشش TaC در برابر دماهای شدید ذاتی در کوره های رشد کریستال مقاومت می کند و عملکرد ثابت را در دوره های عملیاتی طولانی تضمین می کند. این دوام به افزایش بهره وری و کاهش هزینه های نگهداری ترجمه می شود.

با خواص بی اثر حلقه راهنمای با پوشش TaC، خطر آلودگی در فرآیند رشد کریستال خود را به حداقل برسانید. این ویژگی به ویژه در ساخت نیمه هادی ها، جایی که خلوص برای دستیابی به خواص الکترونیکی و ساختاری بهینه در کریستال های SiC بسیار مهم است، بسیار مهم است.

با تنظیمات قابل تنظیم، حلقه راهنما را مطابق با مشخصات کوره خود تنظیم کنید. فرقی نمی‌کند به ابعاد، پوشش‌ها یا شکل‌های خاصی نیاز داشته باشید، تیم مهندسی ما آماده همکاری با شما برای ایجاد راه‌حلی است که به طور یکپارچه در راه‌اندازی رشد تک کریستال شما ادغام می‌شود.

با حلقه راهنمای با پوشش TaC، فرآیندهای رشد کریستال SiC خود را به سطوح بی سابقه ای از دقت و کارایی ارتقا دهید. به مؤلفه‌ای اعتماد کنید که ترکیبی از فناوری پیشرفته، دوام و سفارشی‌سازی برای برآورده کردن خواسته‌های منحصربه‌فرد عملیات تولید نیمه‌هادی شماست.