پوشش TAC قسمت نیمه ماه

سرامیک های TAC دارای نقطه ذوب تا 3880 درجه سانتیگراد ، سختی زیاد (سختی MOHS 9-10) ، هدایت حرارتی بزرگ (22W · M-1 · K-1) ، استحکام خمش بزرگ (340-400MPA) و ضریب گسترش حرارتی کوچک (6.6 × 10-6K-1). آنها همچنین ثبات ترموشیمیایی عالی و خصوصیات بدنی عالی را نشان می دهند و سازگاری شیمیایی و مکانیکی خوبی با کامپوزیت های گرافیت و C/C دارند. بنابراین ، پوشش های TAC به طور گسترده ای در حفاظت حرارتی هوافضا ، رشد کریستال تک ، الکترونیک انرژی و وسایل پزشکی مورد استفاده قرار می گیرد.

گرافیت با روکش TAC دارای مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی بهتری نسبت به گرافیت لخت یا گرافیت با روکش SIC است ، می تواند به طور پایدار در دماهای بالا 2600 درجه استفاده شود و با بسیاری از عناصر فلزی واکنش نشان نمی دهد. این بهترین پوشش در سناریوهای رشد تک کریستالی تک نسل سوم و سناریوهای ویفر است و می تواند کنترل دما و ناخالصی ها را در این فرآیند بهبود بخشد و ویفرهای کاربید سیلیکون با کیفیت بالا و ویفرهای اپی کلیسای مرتبط را تهیه کند. این خصوصاً برای رشد کریستال های تک GAN یا ALN با تجهیزات MOCVD و رشد کریستال های تک SIC با تجهیزات PVT مناسب است. کیفیت کریستال های تک رشد یافته به طور قابل توجهی بهبود یافته است.

این محصول یک راه حل ایده آل برای تولید کنندگان در اولویت بندی دقت ، کارآیی و دوام در فرآیندهای اپیتاکسی آنها است. Trust Semicorex برای راه حل های با کارایی بالا که برای تأمین نیازهای در حال تحول صنعت نیمه هادی طراحی شده است.