گیرنده ویفر پوشش TaC

Semicorex TaC Coating Wafer Susceptor یک جزء حیاتی در فرآیند رشد اپیتاکسیال کاربید سیلیکون (SiC) است. این گیره که با تکنولوژی پوشش پیشرفته طراحی شده است، از گرافیت با کیفیت بالا ساخته شده است، ساختاری بادوام و پایدار ارائه می دهد و با لایه ای از کاربید تانتالیوم پوشیده شده است. ترکیب این مواد تضمین می‌کند که TaC Coating Wafer Susceptor می‌تواند در برابر دماهای بالا و محیط‌های واکنشی معمول در اپیتاکسی SiC مقاومت کند، در حالی که کیفیت لایه‌های اپیتاکسیال را نیز به طور قابل توجهی بهبود می‌بخشد.

کاربید سیلیکون یک ماده حیاتی در صنعت نیمه هادی است، به ویژه در کاربردهایی که نیاز به توان بالا، فرکانس بالا و پایداری حرارتی شدید مانند الکترونیک قدرت و دستگاه های RF دارند. در طول فرآیند رشد همپایه SiC، گیرنده ویفر پوششی TaC بستر را به طور ایمن در جای خود نگه می دارد و از توزیع یکنواخت دما در سراسر سطح ویفر اطمینان حاصل می کند. این ثبات دما برای تولید لایه های همپایی با کیفیت بالا حیاتی است، زیرا مستقیماً بر نرخ رشد کریستال، یکنواختی و تراکم نقص تأثیر می گذارد.

پوشش TaC با ایجاد یک سطح ثابت و بی اثر که آلودگی را به حداقل می رساند و مقاومت حرارتی و شیمیایی را بهبود می بخشد، عملکرد سوسپتور را افزایش می دهد. این منجر به یک محیط تمیزتر و کنترل شده برای اپیتاکسی SiC می شود که منجر به کیفیت بهتر ویفر و افزایش بازده می شود.

TaC Coating Wafer Susceptor به طور خاص برای استفاده در فرآیندهای ساخت نیمه هادی پیشرفته که نیاز به رشد لایه های همپای SiC با کیفیت بالا دارد، طراحی شده است. این فرآیندها معمولاً در تولید الکترونیک قدرت، دستگاه‌های RF و قطعات با دمای بالا استفاده می‌شوند، جایی که خواص حرارتی و الکتریکی برتر SiC مزایای قابل‌توجهی نسبت به مواد نیمه‌رسانای سنتی مانند سیلیکون دارد.

به طور خاص، TaC Coating Wafer Susceptor برای استفاده در راکتورهای رسوب بخار شیمیایی با دمای بالا (CVD) مناسب است، جایی که می تواند در برابر شرایط سخت اپیتاکسی SiC بدون به خطر انداختن عملکرد مقاومت کند. توانایی آن در ارائه نتایج ثابت و قابل اعتماد آن را به یک جزء ضروری در تولید دستگاه های نیمه هادی نسل بعدی تبدیل می کند.

Semicorex TaC Coating Wafer Susceptor نشان دهنده پیشرفت قابل توجهی در زمینه رشد اپیتاکسیال SiC است. با ترکیب مقاومت حرارتی و شیمیایی کاربید تانتالم با پایداری ساختاری گرافیت، این گیره عملکرد بی نظیری را در محیط های با دمای بالا و استرس بالا ارائه می دهد. توانایی آن در افزایش کیفیت لایه‌های اپیتاکسیال SiC در حالی که آلودگی را به حداقل می‌رساند و طول عمر را افزایش می‌دهد، آن را به ابزاری ارزشمند برای تولیدکنندگان نیمه‌رسانا تبدیل می‌کند که به دنبال تولید دستگاه‌های با کارایی بالا هستند.