هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی

سیلیکون تک کریستالیهدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی به عنوان منبع مواد برای رسوب لایه نازک عمل می کند. تمام اتم های سیلیکونی که روی سطح ویفر قرار می گیرند از اهداف مسطح سیلیکونی تک کریستالی منشاء می گیرند. بنابراین، کیفیت هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی به طور مستقیم خلوص، یکنواختی و سایر خواص کلیدی لایه نازک رسوب‌شده را تعیین می‌کند.

هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی در داخل یک محفظه واکنش خلاء همراه با زیرلایه قرار می گیرد تا در طی فرآیند رسوب فیلم پوشش داده شود. هنگامی که هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی توسط یون های پر انرژی بمباران می شود، اتم های سیلیکون روی سطح آن پراکنده می شوند. این اتم های سیلیکون پراکنده شده سپس مهاجرت کرده و روی سطح بستر رسوب می کنند و در نهایت یک لایه نازک سیلیکونی تشکیل می دهند.

هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی به عنوان منبع مواد برای رسوب لایه نازک عمل می کند. تمام اتم های سیلیکونی که روی سطح ویفر قرار می گیرند از اهداف مسطح سیلیکونی تک کریستالی منشاء می گیرند. بنابراین، کیفیت هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی به طور مستقیم خلوص، یکنواختی و سایر خواص کلیدی لایه نازک رسوب‌شده را تعیین می‌کند.

ویژگی خلوص فوق العاده به هدف مسطح سیلیکونی تک کریستالی توانایی جلوگیری از آلودگی ناخالصی ها به لایه نازک را می دهد. این به طور قابل توجهی عملکرد الکتریکی دستگاه های نیمه هادی را بهبود می بخشد. بهبود یکنواختی و چسبندگی لایه‌های نازک از ساختار کریستالی بسیار منظم آن بهره می‌برد، که ذرات کندوپاش را قادر می‌سازد به طور منظم‌تری مهاجرت کرده و روی سطح ویفر رسوب کنند. طراحی ساختار مسطح برای نیازهای کندوپاش با مساحت بزرگ و با سرعت بالا مناسب است و برای سناریوهای تولید در مقیاس بزرگ مانند ویفرهای نیمه هادی و پانل های نمایش قابل استفاده است.