- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار
ویفرهای اپیتاکسیال نیترید گالیوم: مقدمه ای بر فرآیند ساخت
رشد ویفر اپیتاکسیال نیترید گالیوم (GaN) یک فرآیند پیچیده است که اغلب از یک روش دو مرحله ای استفاده می کند. این روش شامل چندین مرحله حیاتی از جمله پخت در دمای بالا، رشد لایه بافر، تبلور مجدد و بازپخت می باشد. با کنترل دقیق دما در طول این مراحل، روش رشد دو مرحله ای به طور موثر از تاب برداشتن ویفر ناشی......
ادامه مطلب
نقش حیاتی بسترهای SiC و رشد کریستال در صنعت نیمه هادی
در زنجیره صنعت کاربید سیلیکون (SiC)، تامین کنندگان بستر، اهرم قابل توجهی را در درجه اول به دلیل توزیع ارزش دارند. بسترهای SiC 47 درصد از ارزش کل را تشکیل می دهند و به دنبال آن لایه های همپایه با 23 درصد قرار دارند، در حالی که طراحی و ساخت دستگاه 30 درصد باقی مانده را تشکیل می دهد. این زنجیره ارزش مع......
ادامه مطلب
کاربرد SiC و GaN در وسایل نقلیه الکتریکی
ماسفت های SiC ترانزیستورهایی هستند که چگالی توان بالا، راندمان بهبود یافته و نرخ خرابی پایین را در دماهای بالا ارائه می دهند. این مزایای ماسفت های SiC مزایای بی شماری را برای وسایل نقلیه الکتریکی (EVs) به ارمغان می آورد، از جمله برد رانندگی طولانی تر، شارژ سریع تر و خودروهای برقی با باتری کم هزینه (......
ادامه مطلب
