> اخبار

اخبار

دانستن MOCVD

MOCVD یک فناوری جدید رشد همپایه فاز بخار است که بر اساس رشد همپایه فاز بخار (VPE) توسعه یافته است.

کاربرد اجزای گرافیت با پوشش TaC

در فرآیند رشد تک بلورهای SiC و AlN با روش انتقال فیزیکی بخار (PVT)، اجزایی مانند بوته، نگهدارنده کریستال دانه و حلقه راهنما نقش حیاتی دارند. در طی فرآیند تهیه SiC، کریستال بذر در یک منطقه با دمای نسبتا پایین قرار دارد، در حالی که ماده خام در یک منطقه با دمای بالا بیش از 2400 درجه سانتیگراد است. مواد......

ادامه مطلب

فرآیند برش و سنگ زنی بستر

مواد بستر SiC هسته تراشه SiC است. فرآیند تولید بستر به این صورت است: پس از به دست آوردن شمش کریستال SiC از طریق رشد تک کریستال. سپس آماده سازی بستر SiC نیاز به صاف کردن، گرد کردن، برش، سنگ زنی (نازک کردن) دارد. پرداخت مکانیکی، پرداخت مکانیکی شیمیایی; و تمیز کردن، آزمایش، و غیره فرآیند

ادامه مطلب

اولین شرکت صنعتی سازی زیرلایه گالیوم اکسید 6 اینچی

اخیراً شرکت ما اعلام کرد که این شرکت با استفاده از روش ریخته‌گری با موفقیت یک تک کریستال اکسید گالیوم 6 اینچی را با استفاده از روش ریخته‌گری توسعه داده است و اولین شرکت صنعتی داخلی است که بر فناوری آماده‌سازی بستر تک‌کریستال گالیوم اکسید 6 اینچی تسلط دارد.

ادامه مطلب

تفاوت بین کریستال های SiC با ساختارهای مختلف

کاربید سیلیکون (SiC) ماده ای است که دارای پایداری حرارتی، فیزیکی و شیمیایی استثنایی است و خواصی فراتر از مواد معمولی دارد. رسانایی حرارتی آن 84W/(m·K) خیره کننده است که نه تنها از مس بلکه سه برابر سیلیکون نیز بالاتر است. این نشان دهنده پتانسیل عظیم آن برای استفاده در برنامه های مدیریت حرارتی است.

ادامه مطلب

پوشش TaC روی گرافیت چیست؟

در زمینه به سرعت در حال توسعه تولید نیمه هادی ها، حتی کوچکترین پیشرفت ها می تواند تفاوت بزرگی در دستیابی به عملکرد، دوام و کارایی بهینه ایجاد کند. یکی از پیشرفت‌هایی که سر و صدای زیادی در صنعت ایجاد می‌کند، استفاده از پوشش TaC (کاربید تانتالم) روی سطوح گرافیت است. اما پوشش TaC دقیقاً چیست و چرا سازن......

ادامه مطلب

<...16 17 18 19 20...30 >