- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار
فرآیندهای پلاسما در عملیات CVD
رسوب بخار شیمیایی (CVD) به فناوری فرآیندی اشاره دارد که در آن واکنش‌دهنده‌های گازی متعدد در فشارهای جزئی متفاوت تحت یک واکنش شیمیایی تحت شرایط دما و فشار خاص قرار می‌گیرند. ماده جامد حاصل بر روی سطح ماده بستر رسوب می کند و در نتیجه لایه نازک مورد نظر به دست می آید. در فرآیندهای تولید مدار مجتمع سنتی......
ادامه مطلب
جهش و چشم انداز بازار دستگاه های برق کاربید سیلیکون (SiC).
همانطور که پذیرش جهانی خودروهای الکتریکی به تدریج افزایش می یابد، کاربید سیلیکون (SiC) در دهه آینده با فرصت های رشد جدیدی روبرو خواهد شد. پیش بینی می شود که سازندگان نیمه هادی های قدرت و اپراتورهای صنعت خودرو فعالانه تر در ساخت زنجیره ارزش این بخش مشارکت کنند.
ادامه مطلب
لایه ها و بسترهای اپیتاکسیال سیلیکونی در تولید نیمه هادی
در زمینه های الکترونیک مدرن، اپتوالکترونیک، میکروالکترونیک و فناوری اطلاعات، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی ضروری هستند. آنها پایه محکمی برای ساخت دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا و با قابلیت اطمینان بالا فراهم می کنند. با ادامه پیشرفت فناوری، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی نیز پیشر......
ادامه مطلب
کنترل دوپینگ در رشد SiC تصعید
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل خواص الکتریکی و حرارتی عالی خود، نقش مهمی در ساخت لوازم الکترونیکی قدرت و دستگاه های فرکانس بالا ایفا می کند. کیفیت و سطح دوپینگ کریستال های SiC به طور مستقیم بر عملکرد دستگاه تأثیر می گذارد، بنابراین کنترل دقیق دوپینگ یکی از فناوری های کلیدی در فرآیند رشد SiC است.
ادامه مطلب
