- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار
پردازش شمش SiC
به عنوان نماینده مواد نیمه هادی نسل سوم، کاربید سیلیکون (SiC) دارای شکاف باند وسیع، رسانایی حرارتی بالا، میدان الکتریکی با شکست بالا و تحرک الکترون بالا است که آن را به یک ماده ایده آل برای دستگاه های ولتاژ بالا، فرکانس بالا و توان بالا تبدیل می کند. این به طور موثر بر محدودیت های فیزیکی دستگاه های ......
ادامه مطلب
فناوری باندینگ ویفر چیست؟
پیوند ویفر یک فناوری مهم در تولید نیمه هادی است. از روش های فیزیکی یا شیمیایی برای اتصال دو ویفر صاف و تمیز به یکدیگر برای دستیابی به عملکردهای خاص یا کمک به فرآیند تولید نیمه هادی استفاده می کند. این فناوری برای ارتقای توسعه فناوری نیمه هادی به سمت عملکرد بالا، کوچک سازی و یکپارچه سازی است و به......
ادامه مطلب
سرامیک سیلیکون کاربید متبلور شده چیست؟
کاربید سیلیکون تبلور مجدد یک سرامیک با کارایی بالا است که از ترکیب ذرات SiC از طریق مکانیسم تبخیر-تراکم برای تشکیل یک بدنه متخلخل فاز جامد قوی تشکیل شده است. قابل توجه ترین ویژگی آن این است که هیچ کمکی برای پخت اضافه نمی شود و محصول نهایی تقریباً کاربید سیلیکون خالص است که به آن عملکرد بسیار عالی در......
ادامه مطلب
حلقه ها در اچ چیست
در تولید تراشه، فوتولیتوگرافی و اچ دو مرحله نزدیک به هم هستند. فوتولیتوگرافی قبل از اچینگ انجام می شود، جایی که الگوی مدار با استفاده از مقاومت نوری بر روی ویفر ایجاد می شود. سپس اچ کردن لایههای فیلمی را که توسط فتوریست پوشانده نشدهاند حذف میکند و انتقال الگو از ماسک به ویفر را تکمیل میکند و برا......
ادامه مطلب
