اخبار

فرآیند CVD در نیمه هادی چیست؟

رسوب شیمیایی بخار CVD به معرفی دو یا چند ماده خام گازی به محفظه واکنش در شرایط خلاء و دمای بالا اشاره دارد که در آن مواد خام گازی با یکدیگر واکنش می دهند و ماده جدیدی را تشکیل می دهند که روی سطح ویفر رسوب می کند.

مروری بر توسعه صنعت فتوولتائیک

تا سال 2027، فتوولتائیک خورشیدی (PV) به عنوان بزرگترین ظرفیت نصب شده جهان از زغال سنگ پیشی خواهد گرفت. ظرفیت نصب شده تجمعی PV خورشیدی در پیش‌بینی ما تقریباً سه برابر می‌شود و در این مدت نزدیک به 1500 گیگاوات افزایش می‌یابد و تا سال 2026 از گاز طبیعی و تا سال 2027 از زغال سنگ پیشی می‌گیرد.

برنامه های کاربردی صنعت GaN

حوزه های کاربردی GaN مبتنی بر SiC و مبتنی بر Si به شدت از هم جدا نیستند. در دستگاه‌های GaN-On-SiC، هزینه بستر SiC نسبتاً بالا است و با رشد روزافزون فناوری کریستال بلند SiC، انتظار می‌رود که هزینه دستگاه کاهش بیشتری پیدا کند و در دستگاه‌های قدرت در زمینه الکترونیک قدرت استفاده شود.

درباره عناصر گرمایش نیمه هادی

عملیات حرارتی یکی از فرآیندهای ضروری و مهم در فرآیند نیمه هادی است. فرآیند حرارتی فرآیند اعمال انرژی حرارتی به ویفر با قرار دادن آن در محیطی پر از گاز خاص، از جمله اکسیداسیون / انتشار / بازپخت و غیره است.

شروع تولید ویفر 3C-SiC

رسانایی حرارتی 3C-SiC حجیم که اخیراً اندازه‌گیری شده است، در میان کریستال‌های بزرگ در مقیاس اینچی، در رتبه دوم قرار دارد و درست زیر الماس قرار دارد. کاربید سیلیکون (SiC) یک نیمه رسانای باند پهن است که به طور گسترده در کاربردهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد و به اشکال مختلف کریستالی معروف به ......

Semicorex ویفر Epitaxial SiC 8 اینچی را معرفی کرد