اخبار

گیرنده های پوشش داده شده SiC در فرآیندهای MOCVD

گیرنده های پوشش داده شده CVD SiC به عنوان نگهدارنده ویفر تخصصی در فرآیندهای رسوب بخار شیمیایی فلزی-آلی (MOCVD) عمل می کنند و نقش مهمی در ساخت نیمه هادی ایفا می کنند. این اجزا برای حفظ یکپارچگی ساختاری ویفرها در طول اپیتاکسی تحت شرایط شدید مانند دمای بالا و محیط های خورنده حیاتی هستند. **

Homoepitaxy و Heteroepitaxy به سادگی توضیح داده شده است

همواپیتاکسی و هترواپیتاکسی نقش های محوری در علم مواد دارند. همواپیتاکسی شامل رشد یک لایه کریستالی بر روی بستری از همان ماده است که حداقل نقص را به دلیل تطابق کامل شبکه تضمین می کند. در مقابل، هترواپیتاکسی یک لایه کریستالی را بر روی یک بستر مواد مختلف رشد می‌دهد، که می‌تواند منجر به چالش‌هایی مانند ع......

اچینگ پلاسما در دمای پایین چیست؟

پلاسما چهارمین حالت ماده است و هم در کاربردهای صنعتی و هم در پدیده های طبیعی نقش اساسی دارد.

ساختار چاک الکترواستاتیک (ESC)

چاک الکترواستاتیک (ESC) وسیله ای است که برای نگه داشتن ویفرهای نیمه هادی در محل خود در طی فرآیندهایی مانند حکاکی، رسوب یا پرداخت استفاده می شود.

Wolfspeed طرح های ساخت کارخانه نیمه هادی آلمان را متوقف می کند

بر اساس گزارش‌های رسانه‌های آلمانی، تولیدکننده تراشه آمریکایی Wolfspeed برنامه‌های خود برای ساخت کارخانه نیمه‌رسانا در آلمان را متوقف می‌کند.

سیلیکون کاربید چگونه تولید می شود؟