- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار
مزایای پوشش TAC در رشد کریستال تک SIC
در حال حاضر ، کاربید سیلیکون بر نسل سوم نیمه هادی ها حاکم است. در ساختار هزینه دستگاه های کاربید سیلیکون ، بسترها 47 ٪ را تشکیل می دهند ، و اپیتاکس 23 ٪ کمک می کند. با هم ، این دو مؤلفه حدود 70 ٪ از هزینه کلی تولید را نشان می دهند و آنها را در زنجیره تولید دستگاه کاربید سیلیکون بسیار مهم می کند.
ادامه مطلب
روش چوکرالسکی
ویفرها از میلههای کریستالی بریده میشوند که از مواد ذاتی پلی کریستالی و خالص تولید میشوند. فرآیند تبدیل مواد پلی کریستالی به تک بلورها از طریق ذوب و تبلور مجدد به رشد کریستال معروف است. در حال حاضر، دو روش اصلی برای این فرآیند به کار گرفته می شود: روش Czochralski و روش ذوب منطقه. در این میان، روش ......
ادامه مطلب
