- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
اخبار
لایه ها و بسترهای اپیتاکسیال سیلیکونی در تولید نیمه هادی
در زمینه های الکترونیک مدرن، اپتوالکترونیک، میکروالکترونیک و فناوری اطلاعات، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی ضروری هستند. آنها پایه محکمی برای ساخت دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا و با قابلیت اطمینان بالا فراهم می کنند. با ادامه پیشرفت فناوری، بسترهای نیمه هادی و فناوری های همپایی نیز پیشر......
ادامه مطلب
کنترل دوپینگ در رشد SiC تصعید
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل خواص الکتریکی و حرارتی عالی خود، نقش مهمی در ساخت لوازم الکترونیکی قدرت و دستگاه های فرکانس بالا ایفا می کند. کیفیت و سطح دوپینگ کریستال های SiC به طور مستقیم بر عملکرد دستگاه تأثیر می گذارد، بنابراین کنترل دقیق دوپینگ یکی از فناوری های کلیدی در فرآیند رشد SiC است.
ادامه مطلب
کاربرد اجزای گرافیت با پوشش TaC
در فرآیند رشد تک بلورهای SiC و AlN با روش انتقال فیزیکی بخار (PVT)، اجزایی مانند بوته، نگهدارنده کریستال دانه و حلقه راهنما نقش حیاتی دارند. در طی فرآیند تهیه SiC، کریستال بذر در یک منطقه با دمای نسبتا پایین قرار دارد، در حالی که ماده خام در یک منطقه با دمای بالا بیش از 2400 درجه سانتیگراد است. مواد......
ادامه مطلب
