حامل پوشش RTP/RTA SiC

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier برای مقاومت در سخت ترین شرایط محیط رسوب مهندسی شده است. این محصول با مقاومت بالا در برابر حرارت و خوردگی، به گونه ای طراحی شده است که عملکرد مطلوبی را برای رشد همپایی ارائه دهد. حامل با پوشش SiC دارای رسانایی حرارتی بالا و خواص توزیع حرارت عالی است که عملکرد قابل اعتماد را برای RTA، RTP یا تمیز کردن شیمیایی خشن تضمین می کند.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

حامل پوشش RTP/RTA SiC ما برای MOCVD Epitaxial Growth راه حل مناسبی برای جابجایی ویفر و پردازش رشد اپیتاکسیال است. این محصول با سطح صاف و دوام بالا در برابر تمیز کردن شیمیایی، عملکرد قابل اعتمادی را در محیط های رسوب سخت ارائه می دهد.
مواد حامل پوشش RTP/RTA SiC ما برای جلوگیری از ترک و لایه لایه شدن مهندسی شده است، در حالی که مقاومت حرارتی برتر و یکنواختی حرارتی عملکرد ثابت را برای RTA، RTP یا تمیز کردن شیمیایی خشن تضمین می کند.
امروز با ما تماس بگیرید تا درباره حامل پوشش RTP/RTA SiC ما بیشتر بدانید

پارامترهای حامل پوشش RTP/RTA SiC

مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC
ویژگی های SiC-CVD
ساختار کریستالی	فاز FCC Î²
تراکم	g/cm³	3.21
سختی	سختی ویکرز	2500
اندازه دانه	¼ دقیقه	2 تا 10
خلوص شیمیایی	%	99.99995
ظرفیت گرمایی	J·kg-1 ·K-1	640
دمای تصعید	℃	2700
قدرت فلکسورال	MPa (RT 4 نقطه ای)	415
مدول یانگ	Gpa (خم 4pt، 1300)	430
انبساط حرارتی (C.T.E)	10-6K-1	4.5
رسانایی گرمایی	(W/mK)	300

ویژگی های حامل پوشش RTP/RTA SiC

گرافیت با پوشش SiC با خلوص بالا
مقاومت حرارتی برتر و یکنواختی حرارتی
کریستال SiC ریز پوشش داده شده برای سطح صاف
ماندگاری بالا در برابر تمیز کردن شیمیایی
مواد به گونه ای طراحی شده است که ترک و لایه لایه شدن رخ نمی دهد.