> محصولات > روکش کاربید سیلیکون

محصولات

محصولات جدید

چین روکش کاربید سیلیکون تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه

پوشش SiC یک لایه نازک بر روی گیرنده از طریق فرآیند رسوب بخار شیمیایی (CVD) است. مواد کاربید سیلیکون چندین مزیت نسبت به سیلیکون دارد، از جمله 10 برابر قدرت میدان الکتریکی شکست، 3 برابر شکاف نواری، که مقاومت در برابر حرارت و شیمیایی بالا، مقاومت در برابر سایش عالی و همچنین رسانایی حرارتی را برای مواد فراهم می‌کند.

Semicorex خدمات سفارشی را ارائه می دهد، به شما کمک می کند تا با قطعاتی که طول عمر بیشتری دارند، نوآوری کنید، زمان چرخه را کاهش دهید و بازده را بهبود بخشید.

پوشش SiC دارای چندین مزیت منحصر به فرد است

مقاومت در برابر دمای بالا: گیرنده پوشش داده شده CVD SiC می تواند در دمای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد بدون تخریب حرارتی قابل توجه مقاومت کند.

مقاومت شیمیایی: پوشش کاربید سیلیکون مقاومت عالی در برابر طیف وسیعی از مواد شیمیایی از جمله اسیدها، قلیاها و حلال های آلی ایجاد می کند.

مقاومت در برابر سایش: پوشش SiC مقاومت بالایی در برابر سایش به مواد ارائه می دهد و آن را برای کاربردهایی که شامل سایش و پارگی زیاد می شوند مناسب می کند.

رسانایی حرارتی: پوشش CVD SiC رسانایی حرارتی بالایی را برای مواد فراهم می کند و آن را برای استفاده در کاربردهای با دمای بالا که نیاز به انتقال حرارت کارآمد دارند مناسب می کند.

استحکام و سفتی بالا: گیره پوشانده شده با کاربید سیلیکون استحکام و سفتی بالایی به مواد می دهد و آن را برای کاربردهایی که نیاز به استحکام مکانیکی بالایی دارند مناسب می کند.

پوشش SiC در کاربردهای مختلفی استفاده می شود

تولید ال ای دی : به دلیل رسانایی حرارتی و مقاومت شیمیایی بالا از سوسپتور CVD SiC پوشش داده شده در تولید انواع مختلف LED از جمله LED آبی و سبز، LED UV و LED عمیق UV استفاده می شود.

حامل اچینگ PSS

گیرنده اپیتاکسیال LED آبی و سبز

گیرنده اپیتاکسیال LED عمیق UV

ارتباطات سیار: گیرنده پوشش داده شده CVD SiC بخش مهمی از HEMT برای تکمیل فرآیند همپایی GaN-on-SiC است.

حامل اپیتاکسیال GaN-on-SiC

گیرنده سوبسترا GaN-on-SiC

پردازش نیمه هادی: گیرنده پوشش داده شده CVD SiC در صنعت نیمه هادی برای کاربردهای مختلف، از جمله پردازش ویفر و رشد اپیتاکسیال استفاده می شود.

گیرنده بشکه

حامل اچینگ ICP

صفحه SiC برای فرآیند اچ کردن ICP

گیرنده برای MOCVD

گیرنده سیلیکونی تک کریستالی

گیرنده اپیتاکسی کاربید سیلیکون

اجزای گرافیت با پوشش SiC

این پوشش که توسط گرافیت پوشش سیلیکون کاربید (SiC) ساخته شده است، با روش CVD روی گرافیت های با چگالی بالا اعمال می شود، بنابراین می تواند در کوره دمای بالا با دمای بیش از 3000 درجه سانتیگراد در اتمسفر بی اثر، 2200 درجه سانتیگراد در خلاء کار کند. .

خواص ویژه و جرم کم مواد باعث سرعت گرمایش سریع، توزیع یکنواخت دما و دقت فوق العاده در کنترل می شود.

داده های مواد پوشش Semicorex SiC

خواص معمولی	واحدها	ارزش های
ساختار		فاز FCC Î²
گرایش	کسر (٪)	111 ترجیح داده می شود
چگالی ظاهری	g/cm³	3.21
سختی	سختی ویکرز	2500
ظرفیت گرمایی	J·kg-1 ·K-1	640
انبساط حرارتی 100â600 درجه سانتیگراد (212â1112 درجه فارنهایت)	10-6K-1	4.5
مدول یانگ	Gpa (خم 4pt، 1300)	430
اندازه دانه	¼ دقیقه	2 تا 10
دمای تصعید	℃	2700
قدرت فلکسورال	MPa (RT 4 نقطه ای)	415
رسانایی گرمایی	(W/mK)	300

نتیجه‌گیری گیرنده پوشش‌داده‌شده CVD SiC یک ماده کامپوزیتی است که ویژگی‌های یک گیرنده و کاربید سیلیکون را ترکیب می‌کند. این ماده دارای خواص منحصر به فردی از جمله مقاومت در برابر حرارت و شیمیایی بالا، مقاومت در برابر سایش عالی، هدایت حرارتی بالا و استحکام و سفتی بالا می باشد. این ویژگی ها آن را به ماده ای جذاب برای کاربردهای مختلف در دمای بالا، از جمله پردازش نیمه هادی، پردازش شیمیایی، عملیات حرارتی، تولید سلول های خورشیدی و تولید LED تبدیل می کند.

View as

گیرنده گرافیت با پوشش MOCVD SiC

Semicorex MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor یک جزء پیشرفته و تخصصی است که در فرآیند رسوب بخار شیمیایی فلز-آلی استفاده می شود، تکنیکی حیاتی در تولید نیمه هادی ها، دستگاه های الکترونیک نوری و سایر مواد پیشرفته. Semicorex متعهد به ارائه محصولات با کیفیت با قیمت های رقابتی است، ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در چین شویم.

ادامه مطلب ارسال استعلام

گیرنده نیمه هادی

Semicorex Susceptor Semiconductor، یک گیره گرافیت انقلابی که با دقت ساخته شده است تا تولید نیمه هادی شما را به ارتفاعات جدیدی ارتقا دهد. این گیره که با دقت و نوآوری مهندسی شده است، دارای پوشش CVD SiC است که آن را در صنعت متمایز می کند. Semicorex متعهد به ارائه محصولات با کیفیت با قیمت های رقابتی است، ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در چین شویم.

ادامه مطلب ارسال استعلام

صفحه گیرنده

Semicorex Susceptor Plate یک جزء حیاتی در فرآیند رشد اپیتاکسیال است که به طور خاص برای حمل ویفرهای نیمه هادی در طول رسوب لایه ها یا لایه های نازک طراحی شده است. Semicorex متعهد به ارائه محصولات با کیفیت با قیمت های رقابتی است، ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در چین شویم.

ادامه مطلب ارسال استعلام

Susceptor با گرید

Semicorex Susceptor with Grid یک جزء تخصصی است که در فرآیند رشد اپیتاکسیال ویفرهای نیمه هادی استفاده می شود. Semicorex متعهد به ارائه محصولات با کیفیت با قیمت های رقابتی است، ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در چین شویم.

ادامه مطلب ارسال استعلام

ست حلقه

پتانسیل کامل فرآیندهای اپیتاکسیال نیمه هادی خود را با مجموعه حلقه Semicorex - یک جزء مهم ساخته شده از گرافیت با پوشش SiC، باز کنید. این لوازم جانبی کوچک و در عین حال قدرتمند که برای افزایش کارایی و قابلیت اطمینان رشد همپای شما طراحی شده است، نقشی کلیدی در تضمین عملکرد بهینه در محیط های تولید نیمه هادی ایفا می کند.

ادامه مطلب ارسال استعلام

Epi Pre Heat Ring

کارایی و دقت فرآیندهای اپیتاکسیال نیمه هادی خود را با حلقه پیشرفته Semicorex Epi Pre Heat افزایش دهید. این حلقه پیشرفته که با دقت از گرافیت پوشش داده شده با SiC ساخته شده است، با گرم کردن گازهای فرآیند قبل از ورود به محفظه، نقش اساسی در بهینه سازی رشد همپایی شما ایفا می کند.

ادامه مطلب ارسال استعلام

<...2 3 4 5 6...19 >

Semicorex سال هاست که روکش کاربید سیلیکون را تولید می کند و یکی از تولید کنندگان و تامین کنندگان حرفه ای روکش کاربید سیلیکون در چین است. پس از خرید محصولات پیشرفته و بادوام ما که بسته بندی فله را عرضه می کنند، ما مقدار زیادی را در تحویل سریع تضمین می کنیم. در طول سال ها، ما خدمات سفارشی را به مشتریان ارائه کرده ایم. مشتریان از محصولات و خدمات عالی ما راضی هستند. ما صمیمانه منتظر تبدیل شدن به شریک تجاری بلند مدت قابل اعتماد شما هستیم! به خرید محصولات از کارخانه ما خوش آمدید.