Semicorex Barrel Susceptor Epi System for LPE Epitaxy محصولی با کیفیت است که چسبندگی پوششی عالی، خلوص بالا و مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا را ارائه می دهد. مشخصات حرارتی یکنواخت، الگوی جریان گاز آرام و جلوگیری از آلودگی آن را به انتخابی ایده آل برای رشد لایه های اپیکسیال بر روی تراشه های ویفر تبدیل کرده است. مقرون به صرفه بودن و قابلیت سفارشی سازی آن را به یک محصول بسیار رقابتی در بازار تبدیل کرده است.
سیستم Epi Barrel Susceptor ما برای LPE Epitaxy یک محصول بسیار نوآورانه است که عملکرد حرارتی عالی، حتی مشخصات حرارتی و چسبندگی پوشش عالی را ارائه می دهد. خلوص بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا و مقاومت در برابر خوردگی آن را به یک محصول بسیار قابل اعتماد برای استفاده در صنعت نیمه هادی تبدیل کرده است. جلوگیری از آلودگی و ناخالصی ها و نیاز به نگهداری کم آن را به یک محصول بسیار رقابتی در بازار تبدیل کرده است.
در Semicorex، ما بر ارائه محصولات با کیفیت بالا و مقرون به صرفه به مشتریان خود تمرکز می کنیم. سیستم Epi بشکه ای ما برای LPE Epitaxy دارای مزیت قیمتی است و به بسیاری از بازارهای اروپا و آمریکا صادر می شود. هدف ما این است که با ارائه محصولات با کیفیت ثابت و خدمات استثنایی به مشتریان، شریک طولانی مدت شما باشیم.
امروز با ما تماس بگیرید تا در مورد سیستم Epi Barrel Susceptor برای LPE Epitaxy بیشتر بدانید.
پارامترهای سیستم Epi Susceptor بشکه برای LPE Epitaxy
مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC |
||
ویژگی های SiC-CVD |
||
ساختار کریستالی |
فاز FCC β |
|
تراکم |
g/cm³ |
3.21 |
سختی |
سختی ویکرز |
2500 |
اندازه دانه |
¼ دقیقه |
2 تا 10 |
خلوص شیمیایی |
% |
99.99995 |
ظرفیت گرمایی |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
دمای تصعید |
℃ |
2700 |
قدرت فلکسورال |
MPa (RT 4 نقطه ای) |
415 |
مدول یانگ |
Gpa (خم 4pt، 1300) |
430 |
انبساط حرارتی (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
رسانایی گرمایی |
(W/mK) |
300 |
ویژگی های Barrel Susceptor Epi System برای LPE Epitaxy
- هم بستر گرافیت و هم لایه کاربید سیلیکون چگالی خوبی دارند و می توانند نقش محافظتی خوبی در دمای بالا و محیط های کاری خورنده داشته باشند.
- سوسپتور با روکش کاربید سیلیکون که برای رشد تک کریستال استفاده می شود، صافی سطحی بسیار بالایی دارد.
- کاهش اختلاف ضریب انبساط حرارتی بین بستر گرافیت و لایه کاربید سیلیکون، به طور موثری استحکام پیوند را برای جلوگیری از ترک خوردگی و لایه لایه شدن بهبود می بخشد.
- هر دو لایه گرافیت و لایه کاربید سیلیکون دارای رسانایی حرارتی بالا و خواص توزیع گرما عالی هستند.
- نقطه ذوب بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی.