درب محفظه خلاء MOCVD مورد استفاده در رشد کریستال و پردازش ویفر باید دماهای بالا و تمیز کردن شیمیایی سخت را تحمل کند. درب محفظه خلاء MOCVD با پوشش کاربید سیلیکون Semicorex که به طور خاص در برابر این محیط های چالش برانگیز طراحی شده است. محصولات ما مزیت قیمت خوبی دارند و بسیاری از بازارهای اروپا و آمریکا را پوشش می دهند. ما مشتاقانه منتظریم تا شریک بلندمدت شما در چین شویم.
اجزای Semicorex Graphite یک گرافیت با پوشش SiC با خلوص بالا هستند که در فرآیند رشد تک کریستال و فرآیند ویفر استفاده می شود. رشد ترکیبی درب محفظه خلاء MOCVD دارای مقاومت در برابر حرارت و خوردگی بالا است، برای تجربه ترکیبی از گازهای پیش ساز فرار، پلاسما و دمای بالا بادوام است.
در Semicorex، ما متعهد به ارائه محصولات و خدمات با کیفیت بالا به مشتریان خود هستیم. ما فقط از بهترین مواد استفاده می کنیم و محصولات ما برای مطابقت با بالاترین استانداردهای کیفیت و عملکرد طراحی شده اند. درب محفظه خلاء MOCVD ما نیز از این قاعده مستثنی نیست. امروز با ما تماس بگیرید تا درباره اینکه چگونه می توانیم به شما در رفع نیازهای پردازش ویفر نیمه هادی کمک کنیم بیشتر بیاموزید.
پارامترهای درب محفظه خلاء MOCVD
مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC |
||
ویژگی های SiC-CVD |
||
ساختار کریستالی |
فاز FCC β |
|
تراکم |
g/cm³ |
3.21 |
سختی |
سختی ویکرز |
2500 |
اندازه دانه |
¼ دقیقه |
2 تا 10 |
خلوص شیمیایی |
% |
99.99995 |
ظرفیت گرمایی |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
دمای تصعید |
℃ |
2700 |
قدرت فلکسورال |
MPa (RT 4 نقطه ای) |
415 |
مدول یانگ |
Gpa (خم 4pt، 1300) |
430 |
انبساط حرارتی (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
رسانایی گرمایی |
(W/mK) |
300 |
ویژگی های درب محفظه خلاء MOCVD
قابلیت های فوق العاده مسطح
پولیش آینه
وزن سبک استثنایی
سفتی بالا
انبساط حرارتی کم
â مقاومت در برابر سایش شدید