SiC End Effector

Semicorex یک تولید کننده و تامین کننده گیره گرافیت با پوشش سیلیکون کاربید در چین در مقیاس بزرگ است. ما بر روی صنایع نیمه هادی مانند لایه های کاربید سیلیکون و نیمه هادی اپیتاکسی تمرکز می کنیم. SiC End Effector ما مزیت قیمت خوبی دارد و بسیاری از بازارهای اروپا و آمریکا را پوشش می دهد. ما مشتاقانه منتظریم تا شریک بلند مدت شما در چین شویم.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

Semicorex SiC End Effector توسط گرافیت پوشش کاربید سیلیکون (SiC) ساخته شده است، این پوشش با روش CVD برای گرافیت های با چگالی بالا اعمال می شود، بنابراین می تواند در کوره دمای بالا با بیش از 3000 درجه سانتیگراد در یک جو بی اثر عمل کند. 2200 درجه سانتیگراد در خلاء

SiC End Effector ما برای دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام طراحی شده است و از یکنواختی پروفیل حرارتی اطمینان حاصل می کند. این به جلوگیری از هرگونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها کمک می کند و از رشد اپیتاکسیال با کیفیت بالا بر روی تراشه ویفر اطمینان می دهد.

برای کسب اطلاعات بیشتر در مورد SiC End Effector امروز با ما تماس بگیرید.

پارامترهای SiC End Effector

مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC
ویژگی های SiC-CVD
ساختار کریستالی	فاز β FCC
تراکم	g/cm³	3.21
سختی	سختی ویکرز	2500
اندازه دانه	میکرومتر	2 تا 10
خلوص شیمیایی	%	99.99995
ظرفیت حرارتی	J kg-1 K-1	640
دمای تصعید	℃	2700
قدرت فلکسورال	MPa (RT 4 نقطه ای)	415
مدول یانگ	Gpa (4pt خم، 1300℃)	430
انبساط حرارتی (C.T.E)	10-6K-1	4.5
هدایت حرارتی	(W/mK)	300