آسترهای لوله فرآیند Semicorex SiC (سیلیکون کاربید) اجزای حیاتی در تولید نیمه هادی ها در محیط هایی هستند که به درجه حرارت بالا و درجه خلوص بالا نیاز دارند. این آسترهای لوله فرآیند SiC به طور خاص برای تحمل شرایط حرارتی شدید و حفظ سطوح بالایی از خلوص طراحی شده اند تا اطمینان حاصل شود که فرآیند تولید نیمه هادی به خطر نمی افتد. Semicorex متعهد به ارائه محصولات با کیفیت با قیمت های رقابتی است، ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما در چین شویم.
خطوط لوله SiC Process یک محیط پایدار و بی اثر برای پردازش و رشد مواد نیمه هادی مانند ویفرهای سیلیکونی فراهم می کنند. این آسترها معمولاً در داخل مناطق واکنش کوره های نیمه هادی استفاده می شوند که در آن کنترل دقیق دما، جریان گاز و واکنش های شیمیایی از اهمیت بالایی برخوردار است.
آسترهای لوله SiC Process از سیلیکون کاربید با کیفیت بالا ساخته شده اند که به دلیل هدایت حرارتی استثنایی، استحکام بالا و مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی شناخته شده است. این ماده دوام و طول عمر را در شرایط سخت پردازش تضمین می کند. به لطف پایداری حرارتی استثنایی خود، آسترهای لوله فرآیند SiC می توانند در برابر دماهای شدیدی که در طی فرآیندهای ساخت نیمه هادی با آن مواجه می شوند، مقاومت کنند. این پایداری توزیع یکنواخت و یکنواخت حرارت را تضمین می کند که برای کنترل دقیق رشد و رسوب مواد ضروری است.
آسترهای لوله فرآیند SiC نقش مهمی در تولید نیمه هادی ها ایفا می کنند زیرا محیطی پایدار، با خلوص بالا و از نظر حرارتی پایدار برای رشد و پردازش دقیق مواد نیمه هادی فراهم می کنند. خواص استثنایی آنها آنها را به اجزای ضروری در ساخت دستگاه های نیمه هادی پیشرفته تبدیل می کند.