سرامیک سیلیکون کاربیدپاروها معمولاً در نزدیکی دهانه کوره یا محفظه فرآیند نصب می شوند که یک سر آن ثابت است و انتهای دیگر به داخل کوره یا محفظه فرآیند کشیده می شود. در طول پردازش عملیاتی، پدال های سرامیکی کاربید سیلیکون به طور دقیق حامل ویفر حامل ویفرها را در محل تعیین شده در داخل کوره یا محفظه فرآیند قرار می دهند. پس از پردازش، پاروهای کنسولی حامل را بازیابی می کنند و آن را از کوره یا محفظه خارج می کنند و برای مرحله بعدی جابجایی به بازوی رباتیک تحویل می دهند.

مزایای پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex

1. خواص برتر و کیفیت قابل اعتماد

پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex پایداری عالی در دمای بالا، استحکام بالا، سختی بالا، پایداری شیمیایی و ضریب انبساط حرارتی پایین را ارائه می دهند. با این ویژگی های برتر، پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex می توانند برای مدت طولانی در برابر شرایط عملیاتی چالش برانگیز مانند دماهای بالا، خوردگی شدید، بارگذاری سنگین و عملکرد مکرر مکانیکی مقاومت کنند.

2. پشتیبانی و حمل و نقل دقیق

Semicorex با تکیه بر عملکرد عالی پشتیبانی و حمل و نقلپاروهای سرامیکی کاربید سیلیکونمی تواند حامل های ویفر را به طور دقیق در محل ثابت کند تا از هم مرکز بودن ویفرها نسبت به لوله های کوره اطمینان حاصل شود، که به طور قابل توجهی ناهماهنگی فرآیند ناشی از تکان دادن ویفر و ناهماهنگی در طول فرآیند را کاهش می دهد.

3. عملیات خودکار بسیار کارآمد

پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex معمولاً در ارتباط با سیستم های بارگیری و جابجایی خودکار روباتیک برای رسیدن به بارگیری و تخلیه سریع ویفر کار می کنند. این به طور قابل توجهی چرخه فرآیند در تولید نیمه هادی و فتوولتائیک را کوتاه می کند، راندمان تولید را بهبود می بخشد و هزینه های عملیات دستی و خطرات خطا را کاهش می دهد.

کاربردهای پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex

1. ساخت سلول های فتوولتائیک

پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex برای فرآیندهای حرارتی سلول های فتوولتائیک، مانند انتشار، LPCVD و PECVD سلول های TOPCon و PERC مناسب هستند. با دستیابی به یکنواختی و پایداری فرآیند، این پاروها به بهبود راندمان تبدیل سلول های فتوولتائیک کمک می کنند.

2. تولید تراشه های نیمه هادی

پاروهای سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex به عنوان اجزای اصلی حمایت و حمل و نقل، به طور گسترده در فرآیندهایی مانند لیتوگرافی، اچ کردن و رسوب در طول ساخت تراشه نیمه هادی استفاده می شود و امکان انتقال دائمی پایدار و موقعیت دقیق ویفرها را فراهم می کند.