قایق ویفر سرامیکی کاربید سیلیکون

Semicorex قایق های ویفر، پایه ها و حامل های ویفر سفارشی را برای هر دو پیکربندی عمودی / ستونی و افقی ارائه می دهد. ما سالها تولید کننده و تامین کننده فیلم پوشش سیلیکون کاربید بوده ایم. قایق ویفر سرامیکی کاربید سیلیکون ما مزیت قیمت خوبی دارد و بیشتر بازارهای اروپا و آمریکا را پوشش می دهد. ما مشتاقانه منتظریم تا شریک بلند مدت شما در چین شویم.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

قایق ویفر سرامیکی کاربید سیلیکون Semicorex، راه حل نهایی برای جابجایی ویفر و حفاظت در تولید نیمه هادی.
قایق ویفر سرامیکی کاربید سیلیکون ما از مواد با کیفیت بالا ساخته شده است که با لایه ای از کاربید سیلیکون (SiC) با روش CVD استفاده شده است که مقاومت خوبی در برابر خوردگی و مقاومت عالی در برابر دماهای بالا و شوک حرارتی دارد. سرامیک های پیشرفته مقاومت حرارتی عالی و دوام پلاسما را ارائه می دهند و در عین حال ذرات و آلاینده ها را برای حامل های ویفر با ظرفیت بالا کاهش می دهند.

پارامترهای قایق ویفر سرامیکی کاربید سیلیکون

خصوصیات فنی
شاخص	واحد	ارزش
نام مواد		سیلیکون کاربید متخلخل واکنش	کاربید سیلیکون متخلخل بدون فشار	سیلیکون کاربید تبلور مجدد
ترکیب		RBSiC	SSiC	R-SiC
چگالی حجیم	g/cm3	3	0.03 ± 3.15	2.60-2.70
قدرت خمشی	MPa (kpsi)	338 (49)	380 (55)	80-90 (20 درجه سانتیگراد) 90-100 (1400 درجه سانتیگراد)
مقاومت فشاری	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970(560)	> 600
سختی	دکمه	2700	2800	/
شکستن سرسختی	MPa m1/2	4.5	4	/
هدایت حرارتی	W/m.k	95	120	23
ضریب انبساط حرارتی	10^-60.1/°C	5	4	4.7
گرمای ویژه	ژول/گرم 0k	0.8	0.67	/
حداکثر دما در هوا	℃	1200	1500	1600
مدول الاستیک	GPA	360	410	240

تفاوت بین SSiC و RBSiC:

1. فرآیند پخت متفاوت است. RBSiC برای نفوذ Si آزاد به کاربید سیلیکون در دمای پایین است، SSiC با انقباض طبیعی در 2100 درجه تشکیل می شود.

2. SSiC دارای سطح صاف تر، چگالی بالاتر و استحکام بالاتر است، برای برخی از آب بندی ها با الزامات سطح سخت تر، SSiC بهتر خواهد بود.

3. زمان استفاده متفاوت تحت PH و دماهای مختلف، SSiC طولانی تر از RBSiC است

ویژگی های قایق ویفر سرامیکی کاربید سیلیکون

مقاومت حرارتی برتر و یکنواختی حرارتی
روکش کریستال SiC ریز برای سطح صاف
ماندگاری بالا در برابر تمیز کردن شیمیایی
مواد به گونه ای طراحی شده است که ترک و لایه لایه شدن رخ نمی دهد.