MOCVD Planet Susceptor برای نیمه هادی ها

Semicorex یک نام قابل اعتماد در صنعت نیمه هادی است که MOCVD Planet Susceptor را برای نیمه هادی ها با کیفیت بالا ارائه می دهد. محصول ما برای پاسخگویی به نیازهای خاص تولید کنندگان نیمه هادی طراحی شده است که به دنبال حاملی هستند که بتواند عملکرد، پایداری و دوام عالی ارائه دهد. امروز با ما تماس بگیرید تا در مورد محصول ما بیشتر بدانید و چگونه می توانیم به شما در رفع نیازهای تولید نیمه هادی کمک کنیم.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

MOCVD Planet Susceptor برای نیمه هادی ما دارای مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا است که پایداری آن را در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد تضمین می کند. همچنین بسیار خالص است که توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا ساخته می شود و از یکنواختی و قوام محصول، حتی مشخصات حرارتی و الگوی جریان گاز آرام اطمینان حاصل می کند.
امروز با ما تماس بگیرید تا در مورد MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor بیشتر بدانید.

پارامترهای MOCVD Planet Susceptor برای نیمه هادی

مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC
ویژگی های SiC-CVD
ساختار کریستالی	فاز β FCC
تراکم	g/cm³	3.21
سختی	سختی ویکرز	2500
اندازه دانه	میکرومتر	2 تا 10
خلوص شیمیایی	%	99.99995
ظرفیت حرارتی	J kg-1 K-1	640
دمای تصعید	℃	2700
قدرت فلکسورال	MPa (RT 4 نقطه ای)	415
مدول یانگ	Gpa (4pt خم، 1300℃)	430
انبساط حرارتی (C.T.E)	10-6K-1	4.5
هدایت حرارتی	(W/mK)	300

ویژگی های SiC Coated Graphite Susceptor for MOCVD

- از لایه برداری خودداری کنید و از پوشش روی تمام سطوح اطمینان حاصل کنید
مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا: پایدار در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد
خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا.
مقاومت در برابر خوردگی: سختی بالا، سطح متراکم و ذرات ریز.
مقاومت در برابر خوردگی: اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی.
- دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام
- تضمین یکنواختی پروفیل حرارتی
- از هر گونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری کنید