حامل های ویفر Semicorex MOCVD برای صنعت نیمه هادی یک حامل برتر است که برای استفاده در صنعت نیمه هادی ها طراحی شده است. مواد با خلوص بالا، پروفیل حرارتی و الگوی جریان گاز آرام را تضمین می کند و ویفرهای با کیفیت بالا را ارائه می دهد.
حامل های ویفر MOCVD ما برای صنعت نیمه هادی بسیار خالص است و با رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی در دمای بالا ساخته شده است و یکنواختی و سازگاری محصول را تضمین می کند. همچنین بسیار مقاوم در برابر خوردگی است، با سطح متراکم و ذرات ریز که آن را در برابر اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی مقاوم می کند. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا، پایداری در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد را تضمین می کند.
برای کسب اطلاعات بیشتر در مورد حامل های ویفر MOCVD برای صنعت نیمه هادی، امروز با ما تماس بگیرید.
پارامترهای حامل های ویفر MOCVD برای صنعت نیمه هادی
مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC |
||
ویژگی های SiC-CVD |
||
ساختار کریستالی |
فاز FCC β |
|
تراکم |
g/cm³ |
3.21 |
سختی |
سختی ویکرز |
2500 |
اندازه دانه |
¼ دقیقه |
2 تا 10 |
خلوص شیمیایی |
% |
99.99995 |
ظرفیت گرمایی |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
دمای تصعید |
℃ |
2700 |
قدرت فلکسورال |
MPa (RT 4 نقطه ای) |
415 |
مدول یانگ |
Gpa (خم 4pt، 1300) |
430 |
انبساط حرارتی (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
رسانایی گرمایی |
(W/mK) |
300 |
ویژگی های SiC Coated Graphite Susceptor for MOCVD
- از لایه برداری خودداری کنید و از پوشش روی تمام سطوح اطمینان حاصل کنید
مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا: پایدار در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد
خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا.
مقاومت در برابر خوردگی: سختی بالا، سطح متراکم و ذرات ریز.
مقاومت در برابر خوردگی: معرف های اسیدی، قلیایی، نمکی و آلی.
- دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام
- تضمین یکنواختی پروفیل حرارتی
- از هر گونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری کنید