صفحه اصلی > محصولات > روکش کاربید سیلیکون > گیرنده MOCVD > گیرنده های پایه گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD
گیرنده های پایه گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD

گیرنده های پایه گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD

گیرنده های پایه گرافیتی با پوشش Semicorex SiC برای MOCVD حامل های با کیفیت برتر هستند که در صنعت نیمه هادی ها استفاده می شوند. محصول ما با کاربید سیلیکون با کیفیت بالا طراحی شده است که عملکرد عالی و دوام طولانی مدت را ارائه می دهد. این حامل برای استفاده در فرآیند رشد یک لایه اپیتاکسیال روی تراشه ویفر ایده آل است.

ارسال استعلام

توضیحات محصول

گیرنده های پایه گرافیتی با پوشش SiC ما برای MOCVD دارای مقاومت بالایی در برابر حرارت و خوردگی هستند که پایداری عالی را حتی در محیط های شدید تضمین می کند.
ویژگی‌های این گیرنده‌های پایه گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD برجسته هستند. این محصول با روکش کاربید سیلیکون با خلوص بالا روی گرافیت ساخته شده است که آن را در برابر اکسیداسیون در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد بسیار مقاوم می کند. فرآیند رسوب بخار شیمیایی CVD مورد استفاده در ساخت آن، خلوص بالا و مقاومت در برابر خوردگی عالی را تضمین می کند. سطح حامل متراکم است، با ذرات ریز که مقاومت در برابر خوردگی آن را افزایش می دهد و آن را در برابر اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی مقاوم می کند.
گیرنده‌های پایه گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD، پروفیل حرارتی یکنواخت را تضمین می‌کنند و بهترین الگوی جریان گاز آرام را تضمین می‌کنند. از انتشار هر گونه آلودگی یا ناخالصی در ویفر جلوگیری می کند و آن را برای استفاده در محیط های تمیز اتاق ایده آل می کند. Semicorex یک تولید کننده و تامین کننده گیره گرافیت با پوشش SiC در چین در مقیاس بزرگ است و محصولات ما از مزیت قیمت خوبی برخوردار هستند. ما مشتاقانه منتظریم تا شریک طولانی مدت شما در صنعت نیمه هادی باشیم.


پارامترهای گیرنده پایه گرافیت پوشش داده شده SiC برای MOCVD

مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC

ویژگی های SiC-CVD

ساختار کریستالی

فاز FCC β

تراکم

g/cm³

3.21

سختی

سختی ویکرز

2500

اندازه دانه

¼ دقیقه

2 تا 10

خلوص شیمیایی

%

99.99995

ظرفیت گرمایی

J·kg-1 ·K-1

640

دمای تصعید

2700

قدرت فلکسورال

MPa (RT 4 نقطه ای)

415

مدول یانگ

Gpa (خم 4pt، 1300)

430

انبساط حرارتی (C.T.E)

10-6K-1

4.5

رسانایی گرمایی

(W/mK)

300


ویژگی های SiC Coated Graphite Susceptor for MOCVD

- از لایه برداری خودداری کنید و از پوشش روی تمام سطوح اطمینان حاصل کنید
مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا: پایدار در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد
خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا.
مقاومت در برابر خوردگی: سختی بالا، سطح متراکم و ذرات ریز.
مقاومت در برابر خوردگی: معرف های اسیدی، قلیایی، نمکی و آلی.
- دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام
- تضمین یکنواختی پروفیل حرارتی
- از هر گونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری کنید




تگ های داغ: گیرنده های پایه گرافیتی با پوشش SiC برای MOCVD، چین، تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه، سفارشی، حجیم، پیشرفته، بادوام

دسته بندی مرتبط

ارسال استعلام

لطفاً درخواست خود را در فرم زیر ارائه دهید. ما ظرف 24 ساعت به شما پاسخ خواهیم داد.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept