گیرنده های ویفر SiC برای MOCVD

ترکیبی از پایداری حرارتی، مقاومت شیمیایی و استحکام مکانیکی تضمین می‌کند که گیرنده‌های ویفر Semicorex SiC برای MOCVD دارای عمر عملیاتی طولانی، حتی در شرایط سخت پردازش هستند.

1. این گیرنده‌های ویفر SiC برای MOCVD به گونه‌ای طراحی شده‌اند که در برابر دماهای بسیار بالا، اغلب بیش از 1500 درجه سانتیگراد، بدون تخریب مقاومت کنند. این انعطاف پذیری برای فرآیندهایی که نیاز به قرار گرفتن در معرض طولانی مدت در محیط های حرارتی بالا دارند، بسیار مهم است. خواص حرارتی برتر، گرادیان حرارتی و تنش درون گیره را به حداقل می‌رساند، در نتیجه خطر تاب برداشتن یا تغییر شکل در دماهای پردازش شدید را کاهش می‌دهد.

2. پوشش SiC از SiC Wafer Susceptors برای MOCVD مقاومت استثنایی در برابر مواد شیمیایی خورنده مورد استفاده در فرآیندهای CVD، مانند گازهای مبتنی بر هالوژن، ایجاد می کند. این بی‌اثر بودن تضمین می‌کند که حامل‌ها با گازهای فرآیند واکنش نشان نمی‌دهند، در نتیجه یکپارچگی و خلوص فیلم‌های رسوب‌شده حفظ می‌شود.

3. ساختار مستحکم این گیرنده‌های ویفر SiC برای MOCVD تضمین می‌کند که می‌توانند در برابر تنش‌های مکانیکی دست‌کاری و پردازش بدون تولید ذراتی که می‌توانند ویفر را آلوده کنند، مقاومت کنند. یکنواختی سطح گیرنده ها شرایط پردازش قابل تکرار را بهبود می بخشد، که برای تولید دستگاه های نیمه هادی با عملکرد و قابلیت اطمینان یکسان ضروری است.

این توضیحات گسترده، مزایای حرفه ای و فنی SiC Wafer Susceptors برای MOCVD را در فرآیندهای CVD نیمه هادی، برجسته می کند و بر خواص و مزایای منحصر به فرد آنها در حفظ استانداردهای بالای خلوص، عملکرد و کارایی در فرآیند تولید تأکید می کند.