گیرنده های راکتورهای MOCVD

گیرنده های ما برای راکتورهای MOCVD توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا ساخته می شوند و خلوص بالا را تضمین می کنند. سطح محصول متراکم، با ذرات ریز و سختی بالا است که آن را در برابر خوردگی در برابر اسید، قلیایی، نمک و معرف های آلی مقاوم می کند.
گیرنده های ما برای راکتورهای MOCVD برای اطمینان از پوشش روی همه سطوح، اجتناب از پوسته شدن و دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام طراحی شده اند. این محصول یکنواختی مشخصات حرارتی را تضمین می کند و از هرگونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها در طول فرآیند جلوگیری می کند و نتایج با کیفیت بالا را تضمین می کند.
در Semicorex، ما رضایت مشتری را در اولویت قرار می دهیم و راه حل های مقرون به صرفه ارائه می دهیم. ما مشتاقانه منتظر هستیم تا شریک بلندمدت شما باشیم، محصولاتی با کیفیت بالا و خدمات استثنایی به مشتریان ارائه دهیم.

پارامترهای گیرنده برای راکتورهای MOCVD

ویژگی های SiC Coated Graphite Susceptor for MOCVD

- از لایه برداری خودداری کنید و از پوشش روی تمام سطوح اطمینان حاصل کنید
مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا: پایدار در دماهای بالا تا 1600 درجه سانتیگراد
خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی CVD در شرایط کلرزنی با دمای بالا.
مقاومت در برابر خوردگی: سختی بالا، سطح متراکم و ذرات ریز.
مقاومت در برابر خوردگی: معرف های اسیدی، قلیایی، نمکی و آلی.
- دستیابی به بهترین الگوی جریان گاز آرام
- تضمین یکنواختی پروفیل حرارتی
- از هر گونه آلودگی یا انتشار ناخالصی ها جلوگیری کنید