حامل های ویفر با پوشش SiC

حامل‌های ویفر Semicorex با پوشش SiC پایداری و رسانایی حرارتی فوق‌العاده‌ای را نشان می‌دهند که برای حفظ دمای ثابت در طول فرآیندهای رسوب بخار شیمیایی (CVD) ضروری است. این امر توزیع یکنواخت گرما را در سراسر بستر تضمین می کند که برای دستیابی به ویژگی های لایه نازک و پوشش با کیفیت بالا بسیار مهم است.

حامل های ویفر با پوشش SiC مطابق با استانداردهای دقیق تولید می شوند که ضخامت یکنواخت و صافی سطح را تضمین می کنند. این دقت برای دستیابی به نرخ رسوب ثابت و خواص فیلم در چندین ویفر حیاتی است.

پوشش SiC به عنوان یک مانع نفوذ ناپذیر عمل می کند و از انتشار ناخالصی ها از گیرنده به ویفر جلوگیری می کند. این امر خطر آلودگی را که برای تولید دستگاه های نیمه هادی با خلوص بالا حیاتی است، به حداقل می رساند. دوام حامل‌های ویفر Semicorex با پوشش SiC، فرکانس جایگزینی گیرنده را کاهش می‌دهد، که منجر به کاهش هزینه‌های تعمیر و نگهداری و به حداقل رساندن خرابی در عملیات‌های تولید نیمه‌رسانا می‌شود.

حامل های ویفر Semicorex با پوشش SiC را می توان برای برآورده کردن الزامات فرآیند خاص، از جمله تغییرات در اندازه، شکل و ضخامت پوشش، سفارشی کرد. این انعطاف پذیری امکان بهینه سازی susceptor را برای مطابقت با نیازهای منحصر به فرد فرآیندهای مختلف ساخت نیمه هادی فراهم می کند. گزینه‌های سفارشی‌سازی، توسعه طرح‌های susceptor را که برای کاربردهای تخصصی طراحی شده‌اند، مانند تولید با حجم بالا یا تحقیق و توسعه، امکان‌پذیر می‌سازد و عملکرد بهینه را برای موارد استفاده خاص تضمین می‌کند.