- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
محصولات
- View as
صفحه حامل SiC Graphite RTP برای MOCVD
صفحه حامل Semicorex SiC Graphite RTP برای MOCVD مقاومت حرارتی و یکنواختی حرارتی عالی را ارائه می دهد و آن را به راه حلی عالی برای کاربردهای پردازش ویفر نیمه هادی تبدیل می کند. این محصول با یک گرافیت با پوشش SiC با کیفیت بالا، طوری طراحی شده است که در برابر سختترین محیط رسوبگذاری برای رشد همپایی مقاومت کند. رسانایی حرارتی بالا و خواص توزیع حرارت عالی عملکرد قابل اعتماد را برای RTA، RTP یا تمیز کردن شیمیایی خشن تضمین می کند.
ادامه مطلبارسال استعلام
صفحه حامل RTP با پوشش SiC برای رشد اپیتاکسیال
صفحه حامل RTP با روکش Semicorex SiC برای رشد همبسته راه حل مناسبی برای کاربردهای پردازش ویفر نیمه هادی است. این محصول با گیره های کربن گرافیت با کیفیت بالا و بوته های کوارتز پردازش شده توسط MOCVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و غیره، برای جابجایی ویفر و پردازش رشد اپیتاکسیال ایده آل است. حامل با پوشش SiC هدایت حرارتی بالا و خواص توزیع گرما عالی را تضمین می کند و آن را به یک انتخاب قابل اعتماد برای RTA، RTP یا تمیز کردن شیمیایی خشن تبدیل می کند.
ادامه مطلبارسال استعلام
حامل RTP RTA SiC با پوشش
Semicorex یک تولید کننده و تامین کننده گیره گرافیت با پوشش سیلیکون کاربید در چین در مقیاس بزرگ است. گیرنده گرافیت Semicorex به طور خاص برای تجهیزات اپیتاکسی با مقاومت در برابر حرارت و خوردگی بالا در چین مهندسی شده است. حامل RTP RTA SiC ما دارای مزیت قیمت خوبی است و بسیاری از بازارهای اروپا و آمریکا را پوشش می دهد. ما مشتاقانه منتظر هستیم که شریک طولانی مدت شما شویم.
ادامه مطلبارسال استعلام
حامل RTP برای رشد اپیتاکسیال MOCVD
Semicorex RTP Carrier for MOCVD Epitaxial Growth برای کاربردهای پردازش ویفر نیمه هادی، از جمله رشد اپیتاکسیال و پردازش ویفر، ایده آل است. گیرنده های کربن گرافیت و بوته های کوارتز توسط MOCVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و غیره پردازش می شوند. محصولات ما مزیت قیمت خوبی دارند و بسیاری از بازارهای اروپا و آمریکا را پوشش می دهند. ما مشتاقانه منتظریم تا شریک بلند مدت شما در چین شویم.
ادامه مطلبارسال استعلام
کامپوننت ICP با پوشش SiC
کامپوننت ICP با پوشش SiC Semicorex به طور خاص برای فرآیندهای کنترل ویفر در دمای بالا مانند اپیتاکسی و MOCVD طراحی شده است. با پوشش کریستال SiC ریز، حامل های ما مقاومت بالاتری در برابر حرارت، حتی یکنواختی حرارتی، و مقاومت شیمیایی بادوام را ارائه می دهند.
ادامه مطلبارسال استعلام
پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه های اچ پلاسما
وقتی صحبت از فرآیندهای جابجایی ویفر مانند اپیتاکسی و MOCVD می شود، پوشش SiC با دمای بالا برای محفظه های اچ پلاسما Semicorex بهترین انتخاب است. حامل های ما به لطف پوشش کریستالی SiC ما، مقاومت حرارتی عالی، حتی یکنواختی حرارتی، و مقاومت شیمیایی بادوام را ارائه می دهند.
ادامه مطلبارسال استعلام
